Was ist ein planarer Transistor?

Der planare Transistor erfunden von Jean Hoerni 1959. Der Entwurf des planaren Transistors verbesserte auf früheren Entwürfen, indem er sie preiswerter zu bilden bildete, Masse-produzierbar, und verbessert an der Verstärkung des elektrischen Einganges. Der planare Transistor errichtet in den Schichten und kann alle seine Anschlüsse in der gleichen Fläche haben.

Die erste Schicht in einem planaren Transistor ist eine Unterseite des Halbleitermaterials. Viele Verunreinigungen hinzugefügt dieser Unterseite ngen, die sie ein besserer Leiter sein lassen. Eine zweite Schicht des Halbleiters, mit wenigen Verunreinigungen, gesetzt dann auf die Unterseite. Nachdem die zweite Schicht in place ist, geätzt die Mitte von ihr heraus und lässt starke Ränder des zweiten Materials um die Seiten und der Dünnschicht über der Unterseite, in der Form einer quadratischen Schüssel.

Ein Abschnitt des Materials der gegenüberliegenden Polarität als die Anfangszwei Schichten gelegt dann in die Schüssel. Noch einmal geätzt die Mitte dieser Schicht eine kleinere Schüssel weg bildend. Ein Material, das der ersten Schicht des planaren Transistors ähnlich ist, addiert dann. Alle Sekunde, dritte und vierte Schichten sind bildete bündig mit die Oberseite des Transistors.

Die positiven und negativen Bestandteile des planaren Halbleiters erreicht auf der gleichen Fläche der Vorrichtung. Metal Verbindungsstücke kann zum Transistor angebracht werden, nachdem die Bestandteile in place sind und lassen die Vorrichtung Elektrizität empfangen und ausstrahlen. Der Transistor empfängt Eingang von der ersten Schicht und ausstrahlt Ausgang vom Viertel t. Die dritte Schicht verwendet, um eine Gebühr in den Transistor laufen zu lassen, damit sie Eingang verstärken kann.

Zwar ist der Entwurf der Vorrichtung ein bisschen schwieriger, als früh Transistoren, viele planaren Transistoren gleichzeitig hergestellt werden können. Dieses verringert die Zeitmenge und nachher Geld, die benötigt, um Transistoren zu produzieren und geholfen gepflastert der Weise für erschwinglichere Elektronik. Diese Arten der Transistoren können Eingang zu den höheren Niveaus als frühere Modelle der Transistoren auch aufladen.

In den früheren Transistoren entfernt die Oxidschicht, die natürlich auf dem suface des Halbleiters bildet, vom Transistor, um Verschmutzung zu verhindern. Dies hieß, dass die empfindlichen Verzweigungen zwischen den positiven und negativen Abschnitten des Transistors herausgestellt werden mussten. Das Konstruieren des Transistors in den Schichten, als Hoerni’s Entwurf, der gefordert, enthielt die Oxidschicht als schützende Eigenschaft für die Verzweigungen.

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